本文源自:金融界
金融界 2024 年 10 月 9 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳硅山技术有限公司申请一项名为“一种用于驱动 IGBT 的平面变压器隔离式反激电路”的专利，公开号 CN 118748496 A，申请日期为 2024 年 6 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种用于驱动 IGBT 的平面变压器隔离式反激电路，包括输入滤波电路、控制芯片电路和平面变压器电路；所述平面变压器电路包括变压器 T1、二极管 D1、电容 C5、C6、电阻 R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15 和 MOS 管 Q1，所述变压器 T1 的 2 脚接入二极管 D1 的负极，且二极管 D1 的正极通过并联的电容 C5、C6 接入并联的电阻 R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15，所述 MOS 管 Q1 的漏极接入二极管 D1 与变压器 T1 之间，MOS 管 Q1 的栅极和源极接入控制芯片电路。本发明以辅助绕组的电压进行反馈稳定电压，而副边的绕组是隔离绕组，隔离绕组端损坏元器件很难影响到原边以及辅助绕组的元器件使用的是平面变压器减少了在人工方面的制作误差。
