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川瑞贝申请碳化硅 MOS 变压器驱动电路和焊机专利,提升电路驱动性能

信息来源:bianyaqi.biz   时间: 2025-04-28  浏览次数:22


本文源自:金融界

金融界 2025 年 4 月 26 日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市川瑞贝科技有限公司;绵阳职业技术学院申请一项名为“碳化硅 MOS 变压器驱动电路和焊机”的专利,公开号 CN119865041A,申请日期为 2025 年 1 月。

专利摘要显示,本发明公开一种碳化硅 MOS 变压器驱动电路和焊机,该碳化硅 MOS 变压器驱动电路包括驱动单元,驱动单元包括第一驱动模块,第一驱动模块包括第一控制端和第一导通端;驱动变压单元包括第一连接端和第二连接端,第一连接端和第二连接端分别电连接第一驱动模块;开关单元,开关单元分别电连接第一控制端和第一导通端;其中,驱动变压单元生成正向电压,并通过第一连接端传输至第一驱动模块,第一驱动模块基于正向电压控制开关单元导通;驱动变压单元为死区状态,第一驱动模块生成第一负向电压以驱动开关单元关断;驱动变压单元生成第二负向电压,并通过第二连接端传输至第一驱动模块,以与第一负向电压叠加控制开关单元处于深度截止状态。


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